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【存储器】三星、海力士看好DRAM、NAND型快闪存储器发展,投资额创新高!

因为DRAM、NAND型快闪存储器应用越来越多样化,呈现供不应求局面,且未来需求大幅成长依旧可期,业内人士称三星、海力士2017年投资额将刷新历史纪录。投资额将高达267亿美元(30万亿韩元)。


三星今年预计投资总额会攀升至20万亿韩元,V-NAND型快闪存储器、影像传感器和晶圆代工业务将成投资重点。


海力士希望能扩充DRAM和NAND型快闪存储器产能,预计今年设备投资9.6万亿韩元,目标满足市场对DRAM、NAND型快闪存储器日益增多的需求。
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