2018年DRAM整体价格相对持稳 NAND Flash价格可能走跌

对于存储产业来说，2016~2017年无疑是难得一见的好年。拿DRAM主流产品DDR4 4Gb与NAND Flash主流产品TLC 128Gb，自2016年中期起一年期间的现货与晶圆合约价格来看，DRAM价格上涨115%，而NAND Flash的价格也有超过80%的涨价幅度。对于一年前还面临产品价格下跌和产业淘汰赛的存储企业来说，这是五年来价格涨幅最高、涨价持续最久的一次荣景。

内存大涨的原因

剖析这一波内存大涨背后的原因，需要将DRAM与NAND Flash两类产品分开来谈。

先来看DRAM为什么能从去年第三季度开始，价格一路上扬至今年第三季度，甚至将一路涨至2018年。

从供给面来看，这首先是制程转进造成的位产出越来越少的缘故。再观察内存大厂的动态，在市场寡占的情况下，这一次大厂皆没有大幅扩增产能，重蹈以往大厂抢扩产，导致产业供需失衡的覆辙。从集邦咨询（TrendForce）统计的数字来看，2017年DRAM产业供给端产能增长率仅有19.5%，远低于往年动辄二成五以上的年增长幅度，而需求端的年增长依然超过22%，供不应求的严峻程度可见一斑。

此外，由于供应大厂2017年至2018年正在进行技术世代交替，由DDR3转进至DDR4，因而使得大容量内存的供给多于小容量的供给，造成下游客户被迫必须升级内存搭载容量。

另一方面，需求端也扮演关键角色。不像过去内存的使用以个人计算机应用为大宗，应用市场较为单一；当今的内存应用分类复杂，除了个人计算机外，还有智能手机、服务器等重要应用市场。对于厂商来说，产品计划比过往困难得多。综合供给面与需求面的状况，造成了此次DRAM价格大幅上扬的原因。

再来看看NAND Flash的状况。NAND Flash从去年第二季度下旬开始涨价，涨幅翻倍。从需求面来看，智能手机对于NAND Flash的需求，成为拉动NAND Flash产业的火车头。尽管从去年开始，智能手机的增长进入高原期，但NAND Flash的搭载容量受到中国市场需求的带动，出现搭载容量提升的状况。由于中国手机厂商率先将手机内存容量提升至32GB/64GB，甚至以上，加上苹果去年推出新一代iPhone时，也选择提升容量，给NAND Flash厂商来了一记漂亮的助攻，整个NAND Flash的需求高于原先预期。

除了智能手机之外，服务器需求的暴增，也是拉升这一次NAND Flash价格连续上涨5个季度的原因。从集邦咨询统计的数字来看，就可以嗅到服务器需求的强劲。2016年企业级SSD位消耗量较2015年成长100%以上，远超过2016年整体NAND Flash产业需求面位消耗量51%的年成长水平。

反观供给面，却因为NAND Flash制程转进不顺，而造成供给的缺口。要解释这个状况，就要回到2016年开年时的背景，当时业界普遍预期智能手机全年出货状况将表现不佳，导致NAND Flash供货商决定不增加2D产能，并计划在同个时间点进行制程转进，由2D转进至3D NAND Flash制程。

然而，制程转进的过程同样不如预期，除了领导厂商三星之外，其他大厂转进状况不佳，导致新增产能没有百分之百完善利用。而去年下半年OEM厂商发现NAND Flash缺货状况后，引发供应链全面抢货，并造成一波恐慌性追货，这个状况一直持续到今年第一季度，第二季度随着市场需求持平，供给缺口缩小，但价格已经自去年中期上涨至今年第三季度。

当前的供需状况

这波DRAM与NAND Flash价格连续上涨5个季度的情况将会持续还是反转呢？先来观察当前的供应状况。

放眼2017年下半年，全球内存消化量最大的依然是智能手机领域，虽然上半年中国品牌手机陆续下修出货数字，但下半年苹果将推出iPhone8新款手机，三星也将推出Note8旗舰款手机，高端智能手机内存需求的成长依然是产业的火车头。

从市场面来观察，今年智能手机内存容量的年成长率将超过30%以上，平均搭载量达到3.2GB，高端智能手机已与主流笔记本电脑所使用的内存规格无异。

随着智能手机崛起，各式的云端服务如雨后春笋般兴起，带动内存需求显著成长，2017年服务器的平均内存容量上看130GB以上，尤其美系云端客户如Google、Facebook等服务器市场的需求强劲，高于产业平均水平，让DRAM厂在2017年下半年的产能分配往服务器用内存移动，同时造成其他DRAM产品线供货吃紧甚至于缺货的情形发生。同样的，NAND Flash也将因上述需求，带动其第三季度供给缺口扩大。

未来的价格走势

就DRAM未来价格走势来看，受到DRAM大厂在2019年前将不会大幅增加供应，供应吃紧状况将持续至2018年年底的影响，集邦咨询认为，价格上涨的态势将持续整个2017年，而2018年后，价格将维持在高档，重现去年以来大幅涨价态势的可能性不高，剧烈的价格变动难在明年出现，明年DRAM价格将展现因季节性而有所波动的趋势，但整体价格相对持稳的格局。

NAND Flash产业未来的价格走势，今年第三季度在苹果新机与Server SSD需求带动下出现供给缺口扩大之势，然而，第四季度除了苹果手机的需求以外，其他需求能见度尚不高，因此，集邦咨询预期，NAND Flash的供需状况会在今年第四季度向平衡方向移动。而明年第一季度因为是传统淡季，根据目前观察并没有特别需求，再加之供给端方面，在非三星阵营厂商陆续克服转进3D NAND Flash产品线的瓶颈后，供给将开始增加，可能会使不断上扬的价格出现松动态势。不同于DRAM价格将在2018年维持高档，集邦咨询预期，2018年NAND Flash的价格可能将开始走跌。

注：转自全球半导体观察官网（www.dramx.com）